1、名称:半导体激光**仪
2、激光媒介:
GaAlAs-半导体
3、输出波长:主波长808nm士10nm 辅助波长650nm士10nm
4、输出模式:连续或 间歇
5、工作方式:
*6、激光器功率:
双路输出，独立控制，非接触式，体表垂直照射
①整机输出功率:单个面照**头为:500mwx3(808激光)+5mwx80(650激光)=1900mw，输出总功率为:3800m
②**大功率:单个面照射**头:1000mwx3+10mwx80
③单个激光器**大输出功率500mw，调节范围20-500mw，步进1mw，显
